九游会现场：亿而得请求只读存储器阵列及其只读存储器专利进步的牢靠度、寿数、性能与抗干扰才能
来源：九游会现场    发布时间：2026-01-08 21:37:30

  国家知识产权局信息数据显现，亿而得微电子股份有限公司请求一项名为“只读存储器阵列及其只读存储器”的专利，公开号CN121281589A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种只读存储器阵列及其只读存储器，触及存储器范畴，只读存储器阵列包含多条共源线、多条字符位元线与多个子存储器阵列，共源线笔直交会字符位元线。共源线包含第总共源线与第二共源线，字符位元线包含榜首字符位元线与第二字符位元线。每一子存储器阵列耦接两条共源线与两条字符位元线。每一子存储器阵列包含四个回忆晶胞。每一回忆晶胞的操控端耦接其对应字符位元线，材料端耦接其对应的共源线及字符位元线。只读存储器包含场效晶体管与电容器。场效晶体管与电容器设于半导体区域中，并一起包含一掺杂井区，掺杂井区堆叠共源线，并耦接共源线。本发明进步了存储器的牢靠度、寿数、性能与抗干扰才能。

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